當(dāng)冰冷的電路板遇見滾燙的孝心,當(dāng)精確的財務(wù)報表承載柔軟的牽掛,西安??松娫从霉こ處熖赜械睦寺C明:科技企業(yè)的溫度,可以精確測量——每月200元,是MOSFET···
N溝型的IGBT工作是通過柵極一發(fā)射極間加閥值電壓V以上的(正)電壓,在柵極電極正下方的P層上形成反型層(溝道),開始從發(fā)射極電極下的N-層注人電子。該電子為P···
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,屬于具有功率 MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率···
功率 MOSFET是電壓型驅(qū)動器件,沒有少數(shù)載流子的存貯效應(yīng),輸人阻抗高,因而開關(guān)速度可以很高,驅(qū)動功率小,電路簡單。但功率MOSFET的極間電容較大,輸入電容···
在功率半導(dǎo)體器件中,MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換,特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域,MOSFET沒有競爭對手,但隨著MO···
靜態(tài)特性。MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖1-2所示。漏極電流Id和柵源間電壓Ucs的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性,Id較大時,Id與 Ucs的關(guān)系近似線···
MOSFET的原意是:MOS(Metal0xide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field EHect[ansistor場效應(yīng)晶體管)···
20世紀(jì)60年代電力電子器件從SCR(晶閘管)、GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、BJT(雙極型功率品體管)、MOSFET(金屬氧化物場效應(yīng)管)、SIT(靜電感應(yīng)晶體···
2020年南極洲聯(lián)合科考中,一架改裝的波音737-700LCF極地運輸機(jī)與兩架米-26直升機(jī)協(xié)同作業(yè)時,地勤人員誤將直升機(jī)啟動電源接入飛機(jī)系統(tǒng),導(dǎo)致APU控制?!ぁぁ?/p>