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當(dāng)冰冷的電路板遇見(jiàn)滾燙的孝心，當(dāng)精確的財(cái)務(wù)報(bào)表承載柔軟的牽掛，西安?？松娫从霉こ處熖赜械睦寺C明：科技企業(yè)的溫度，可以精確測(cè)量——每月200元，是MOSFET···
N溝型的IGBT工作是通過(guò)柵極一發(fā)射極間加閥值電壓V以上的(正)電壓，在柵極電極正下方的P層上形成反型層(溝道)，開(kāi)始從發(fā)射極電極下的N-層注人電子。該電子為P···
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率 MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率···
功率 MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，沒(méi)有少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)，輸人阻抗高，因而開(kāi)關(guān)速度可以很高，驅(qū)動(dòng)功率小，電路簡(jiǎn)單。但功率MOSFET的極間電容較大，輸入電容···
在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MO···
靜態(tài)特性。MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖1-2所示。漏極電流Id和柵源間電壓Ucs的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，Id較大時(shí)，Id與 Ucs的關(guān)系近似線···
MOSFET的原意是:MOS(Metal0xide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)，F(xiàn)ET(Field EHect[ansistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)···
20世紀(jì)60年代電力電子器件從SCR(晶閘管)、GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、BJT(雙極型功率品體管)、MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管)、SIT(靜電感應(yīng)晶體···
2020年南極洲聯(lián)合科考中，一架改裝的波音737-700LCF極地運(yùn)輸機(jī)與兩架米-26直升機(jī)協(xié)同作業(yè)時(shí)，地勤人員誤將直升機(jī)啟動(dòng)電源接入飛機(jī)系統(tǒng)，導(dǎo)致APU控制模···
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